绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）综合了电力晶体管（Giant Transistor—GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点，具有
2009-11-05 11:40
绝缘栅双极晶体管(IGBT)结合了GTR和MOSFET的优点，具有良好的特性。IGBT也是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E。
2022-10-28 16:12
事实上IGBT的结构与MOSFET十分接近，只是在其背面增加了N+和P+层，“+”意味着更高的自由电子或者空穴密度。从而IGBT在保留MOSFET优点的同时，增加了载流能力和抗压能力。
2022-08-22 15:57
IGBT功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。实质是个复合功率器件，它集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体化。
2023-02-22 15:34
IGBT是继MOSFET之后，新一代的开关器件，主要用于高压和高电流的开关控制。IGBT的全称是Isolated Gate Bipolar Transistor，是由晶体管和MOSFET的优点相结合
2023-07-20 16:39
MOSFET 的优点是较高的开关频率，可以工作在百 kHz 到 MHz 之间；缺点是耐压低，在高电压、大电流应用中损耗非常大，因而限制了其应用。IGBT 的优点是导通压降小、耐压高，输出功率可到
2018-07-26 15:54
IGBT在以变频器及各类电源为代表的电力电子装置中得到了广泛应用。 IGBT 集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体，具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关
2011-09-14 10:51
绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）综合了电力晶体管（Giant Transistor—GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛；IGBT也是三端器件：栅
2017-11-29 15:39
碳化硅MOS优点：高频高效，高耐压，高可靠性。可以实现节能降耗，小体积，低重量，高功率密度。
2023-04-12 09:45
