采用IGBT这种双极型器件结构(导通电阻变低,则开关速度变慢),就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET与IGBT不同,不存在开启电压,所以
2019-04-09 04:58
CCG8 使用 GPIO 来控制 FET 栅极驱动器的功率吸收路径, 我可以使用 P-MOSFET 作为电源接收路径吗? 使用 N-MOSFET 作为功率吸收路径有哪些优点?
2025-05-28 06:51
日益增长的电力需求。在这篇文章中,我将探讨如何实现。 为何选择GaN?当涉及功率密度时,GaN为硅MOSFET提供了几个主要优点和优势,包括:•较低的RDS(on):如表1所示…
2022-11-14 07:01
1 引言 MOSFET凭开关速度快、导通电阻低等优点在开关电源及电机驱动等应用中得到了广泛应用。要想使MOSFET在应用中充分发挥其性能,就必须设计一个适合应用的最优驱动电路和参数。在应用中
2021-07-27 06:44
1.MOSFET的速度比晶体管或IGBT快。2.MOSFET的过电流适中;晶体管是一个流控流型的,要使集电极上的电流增大,基极上的电流就要增大,但是基极上的电流是无用的。IGBT一般使用在大电流的场景。...
2021-10-29 08:28
ORing系统。” IR的DirectFET MOSFET封装已获得专利,它集中了标准塑料分立封装所不具备的一系列设计优点。其中的金属罐构造能发挥双面冷却功能,使用以驱动先进微处理器的高频DC-DC降压
2018-11-26 16:09
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨
2021-10-28 06:56
MOSFET)。但在多数情况下,使用全面集成的负载开关具有更显著的优点。系统中的负载开关在哪里一个典型系统包括一个电源和多个负载,需要各种不同的负载电流,如Bluetooth®、Wi-Fi或处理器轨。多数
2022-11-17 08:05
所需的功率。在正常工作期间,耗尽型 MOSFET 由于其低静态电流而消耗的功率最小。这种方法的主要优点是理论上启动序列后的功耗为零,从而提高了整体效率。此外,它在PCB上占用的面积更小,可实现宽输入
2023-02-21 15:46
, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件
2021-09-09 08:29