从本文开始，将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先
2018-11-30 11:34
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的
2018-12-03 14:29
工作制S1的电机与工作制S3的电机制造工艺与电机结构有什么区别呢？ 求指教。 我是想问电机制造过程有什么不同？
2023-11-09 07:46
字符→外形加工→测试→检验。详解PCB线路板多种不同工艺流程3.双面板镀镍金工艺流程下料磨边→钻孔→沉铜加厚→外层图形→镀镍、金去膜蚀刻→二次钻孔→检验→丝印阻焊→丝印字符→外形加工→测试→检验。4.
2017-06-21 15:28
1. MOSFET、MESFET、MODFET有何区别？MOSFET是MOS(金属-氧化物-半导体) 做栅极MODFET/MESFET 是用金属-半导体接触(肖特基二极管)，用二极管做栅极，速度比
2022-01-25 06:48
霍尔IC芯片的制造工艺霍尔IC传感器是一种磁性传感器，通过感应磁场的变化，输出不同种类的电信号。霍尔IC芯片主要有三种制造工艺，分别为 Bipolar、CMOS 和 BiCMOS 工艺，不
2016-10-26 16:48
单面板工艺流程 下料磨边→钻孔→外层图形→（全板镀金）→蚀刻→检验→丝印阻焊→（热风整平）→丝印字符→外形加工→测试→检验 双面板喷锡板工艺流程 下料磨边→钻孔→沉铜加厚→外层图形→镀锡
2018-08-29 10:53
MOSFET的区别N 沟道和 P 沟道 MOSFET 之间的主要区别在于，N 沟道通常连接到负载（被供电的器件）的接地 （-） 侧，而 P 沟道连接到 VCC （+）侧
2023-02-02 16:26
请教各位大佬TSMC0.18um中，BCD工艺和mixsignal工艺的区别，除了mos结构上会有hvnw和nbl隔离之外，还有其他的吗
2021-06-25 07:08
封装内的二极管与特定应用匹配，极佳的软恢复二极管可与更高速的SMPS器件相配合。后语：MOSFE和IGBT是没有本质区别的，人们常问的“是MOSFET好还是IGBT好”这个问题本身就是错误的。至于
2018-08-27 20:50
