离线电源中，成本和高电压（大于 1kV）是使用 BJT 而非 MOSFET 的两大理由。在低功耗（3W 及以下）反激式电源中，很难在成本上击败 BJT。大批量购买时，一
2018-09-18 11:32
，这些输入可用于对各个 FET 面积进行效率方面的优化。图 1 传导损耗与 FET 电阻比和占空比相关首先，FET 电阻与其面积成反比例关系。因此，如果为 FET 分配一定的总面积，同时您让
2018-09-26 10:24
嗨：是否可以在EMpro仿真中对BJT / MOSFET等器件进行建模？我在想是否可以将其建模为EMpro中的电流/电压源。这是一个正确的假设吗？谢谢 以上来自于谷歌翻译 以下为原文Hi
2018-11-29 10:39
【不懂就问】在单端反激电路中常见的一部分电路就是RCD组成的吸收电路，或者钳位电路，与变压器原边并联其目的是吸收MOSFET在关断时，引起的突波，尖峰电压电流到那时MOSFET是压控器件，为什么在关断时会引起尖峰电压电流？怎么在三极管
2018-07-10 10:03
！它在高侧栅极驱动器源连接（R57、R58 和 R59）中也有 4R7 电阻，我不明白为什么需要这些。是否有任何设计指南可以告诉我如何定义栅极电阻器、自举电容器以及为什么高
2023-04-19 06:36
ALED6001 eDesign 显示 BJT 为红色矩形。然而，大多数 PNP BJT 如下图所示。我搜索了一些资料，它们显示交换 BJT 的 E 和 C，BJT 可
2022-12-23 07:27
增大MOSFET栅极电阻可消除高平震荡，是否栅极电阻越大越好，为什么？请你分析一下增大栅极电阻能消除高平震荡的原因
2023-05-16 14:32
求大神告知两个MOSFET组成的放大电路主要怎么判断它是不是在线性放大区，两个BJT组成的放大电路怎么判断是不是在放大区，真心求教 急叩谢~~~
2017-05-16 21:57
在通孔板上建立电路数小时后，我发现使用P-MOSFET时Vgs并不容易。经过搜索，我发现我需要使用N-MOSFET或BJT（NPN）将源极电压带到栅极，以便关断MOSFET
2018-08-23 10:30
功率MOSFET的结构特点为什么要在栅极和源极之间并联一个电阻呢？
2021-03-10 06:19
