最近在调试PFC，上电瞬间，TT PFC的高频下半桥就短路了，烧了好几只管子，后面发现是Mosfet的驱动电阻没有贴上，请问这个对Mos的影响有多大？多大的电压、电流会使得开关管失效？
2021-04-07 21:02
MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力 MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 2、动态特性；其测试电路和开关过程波形如图3所示。 开通
2023-02-27 11:52
大家好，问个在网上经常碰到的问题，但我想再问得深入些。 关于MOSFET，就说NMOS管吧，平时说到栅极，大家都习惯性的串接一个栅极电阻大小从10欧--100欧不等。 而且有人说为了提高开通速度甚至
2013-02-08 15:28
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻
2018-11-30 11:34
增大MOSFET栅极电阻可消除高平震荡，是否栅极电阻越大越好，为什么？请你分析一下增大栅极电阻能消除高平震荡的原因。
2023-03-15 17:28
增大MOSFET栅极电阻可消除高平震荡，是否栅极电阻越大越好，为什么？请你分析一下增大栅极电阻能消除高平震荡的原因
2023-05-16 14:32
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗？栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗？
2023-05-16 14:33
、输入阻抗高；3、工作频率范围宽，开关速度高(开关时间为几十纳秒到几百纳秒)，开关损耗小；4、有较优良的线性区，并且 MOSFET 的输入电容比双极型的输入电容小得多，所以它的交流输入阻抗极高；噪声也小，最合适制作 Hi-Fi 音响；5、功率 MOSFET 可以多
2016-05-23 11:40
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58
MOSFET漏极流向源极并保持在最大值，Vds同时保持在最小值，MOSFET进入饱和区，导通电阻降至最小。以上是MOSFET导通的时序介绍，而
2018-12-10 10:04
