本帖最后由 maskmyself 于 2016-5-24 09:42 编辑 电阻主要特性参数电阻的主要参数有电阻阻
2016-05-23 11:40
MOSFET简介MOSFET的一些主要参数MOSFET的驱动技术
2021-03-04 06:43
本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。 MOSFET
2025-02-26 14:41
什么是MOSFET管？由哪几部分组成？MOSFET的主要参数是什么？如何选型？
2022-02-23 06:57
`功率Mosfet参数介绍V(BR)DSS（有时候叫做BVDSS）是指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12
的过程中（同时还要考虑价格和外形尺寸） 。本文（以及类似主题的第二篇文章）将通过解释分立MOSFET的重要电参数来帮助您完成这一过程。通态电阻我在这里要简短，因为我已经写了整篇文章专门讨论这个
2019-10-25 09:40
从本文开始，将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先
2018-11-30 11:34
尖峰电压和系统 EMC 的抑制为目标。实际应用中，选择缓冲吸收电路参数时，为防止 SiC-MOSFET开关在开通瞬间由于吸收电容器上能量过多、需通过自身放电进而影响模块使用寿命，需要对 RC 缓冲吸收
2025-04-23 11:25
速度。更能说明器件实际开关速度的是器件的栅极电荷参数和内部栅极电阻，Rg，这两个参数几乎不受这些技术指针差距 (specmanship) “游戏”的影响。图2：定义MOSFET
2018-09-05 09:59
MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力 MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 2、动态特性；其测试电路和开关过程波形如图3所示。 开通
2023-02-27 11:52
