，驱动电压回到正常的电压值，提高系统正常稳态工作的效率，额外的代价就是要增加一个动态调节驱动电压的电路。问题2：反复看了回顾了一下文章《理解功率MOSFET的电流》，其中关于图片中，可变电阻区，放大
2016-12-21 11:39
。图1：正向偏置SOA安全工作区（1）SOA曲线左上方的边界斜线，受漏源极的导通电阻RDS（ON）限制。因为在一定的VGS的电压下，功率MOSFET都有一个确定的RDS（ON），因此：VDS = ID
2016-10-31 13:39
、输入阻抗高；3、工作频率范围宽，开关速度高(开关时间为几十纳秒到几百纳秒)，开关损耗小；4、有较优良的线性区，并且 MOSFET 的输入电容比双极型的输入电容小得多，所以它的交流输入阻抗极高；噪声也小，最合适制作 Hi-Fi 音响；5、功率
2016-05-23 11:40
型区。在功率MOSFET的内部，由许多这样的单元，也称“晶胞”，并联而成。硅片的面积越大，所能加工的单元越多，器件的导通电阻越小，能够通过的电流就越大；同样，在单位的面积的硅片上，能够加工的晶胞越多
2016-10-10 10:58
MOSFET工作也可以工作在饱和区，即放大区恒流状态，此时，电流受到沟道内电子数量的限制，改变漏极电压不能增加流通电流。功率MOSFET从放大区进入稳态工作可变电阻
2016-08-15 14:31
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计
2021-07-29 09:46
完全开通，只有导通电阻产生的导通损耗，没有开关损耗。t1-t2、t2-t3二个阶段，电流和电压产生重叠交越区，因此产生开关损耗。同时，t1-t2和t2-t3二个阶段工作于线性区，因此功率MOSFET
2017-02-24 15:05
大于B管，因此选取的MOSFET开关损耗占较大比例时，需要优先考虑米勒电容Crss的值。整体开关损耗为开通及关断的开关损耗之和：从上面的分析可以得到以下结论：（1）减小驱动电阻可以减小线性区持续的时间
2017-03-06 15:19
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 编辑 小弟在选择MOSFET型号，要求耐压300V左右，Id>7.5A，导通电阻越小越好，哪位大侠给推荐一款,万分感谢！
2012-08-17 15:19
，即MOSFET的导通电阻RDS(ON)为负温度系数，可以将这个区域称为导通电阻RDS(ON)的负温度系数区域。 图2：MOSFET转移特性而在VGS-ZTC电压的右上
2016-09-26 15:28
