，驱动电压回到正常的电压值，提高系统正常稳态工作的效率，额外的代价就是要增加一个动态调节驱动电压的电路。问题2：反复看了回顾了一下文章《理解功率MOSFET的电流》，其中关于图片中，可变电阻区，放大
2016-12-21 11:39
电压。导通电阻表示功率MOSFET完全开后的电阻，和上述的线性区工作状态并不相同。功率MOSFET的内部二极管导通的反向
2017-04-06 14:57
采用了正方形单元；摩托罗拉公司 （Motorola）的TMOS采用了矩形单元按“品”字形排列。 功率MOSFET的工作原理 截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN
2023-02-27 11:52
。图1：正向偏置SOA安全工作区（1）SOA曲线左上方的边界斜线，受漏源极的导通电阻RDS（ON）限制。因为在一定的VGS的电压下，功率MOSFET都有一个确定的RDS（ON），因此：VDS = ID
2016-10-31 13:39
减小RDS(on)的值，就需要找到一种对漂移区进行重掺杂的方法，并大幅减小epi电阻。图2：平面式MOSFET的电阻性元件通常，高压的功率
2018-10-17 16:43
型区。在功率MOSFET的内部，由许多这样的单元，也称“晶胞”，并联而成。硅片的面积越大，所能加工的单元越多，器件的导通电阻越小，能够通过的电流就越大；同样，在单位的面积的硅片上，能够加工的晶胞越多
2016-10-10 10:58
可以工作在三个区：关断区、线性区(恒流区)和可变电阻区，线性
2016-11-29 14:36
最近在调试PFC，上电瞬间，TT PFC的高频下半桥就短路了，烧了好几只管子，后面发现是Mosfet的驱动电阻没有贴上，请问这个对Mos的影响有多大？多大的电压、电流会使得开关管失效？
2021-04-07 21:02
大家好，问个在网上经常碰到的问题，但我想再问得深入些。 关于MOSFET，就说NMOS管吧，平时说到栅极，大家都习惯性的串接一个栅极电阻大小从10欧--100欧不等。 而且有人说为了提高开通速度甚至
2013-02-08 15:28
、输入阻抗高；3、工作频率范围宽，开关速度高(开关时间为几十纳秒到几百纳秒)，开关损耗小；4、有较优良的线性区，并且 MOSFET 的输入电容比双极型的输入电容小得多，所以它的交流输入阻抗极高；噪声也小，最合适制作 Hi-Fi 音响；5、功率
2016-05-23 11:40
