通常，在功率MOSFET的数据表中的第一页，列出了连续漏极电流ID，脉冲漏极电流IDM，雪崩电流IAV的额定值，然后对于许多电子工程师来说，他们对于这些
2021-03-11 10:53
LTC®4234 是一款用于热插拔的集成式解决方案™允许从带电背板上安全插入和拔出电路板的应用程序。该器件在单个封装中集成了热插拔控制器、功率 MOSFET 和电流检测电阻器，适用于小尺寸应用。MOSFET 安全工作
2023-01-08 15:59
A4936是Allegromicro公司的完整的三相无刷DC（BLDC）马达预驱动器，提供高达28V的输出，直接用来驱动六个功率N-MOSFET的大电流栅极
2010-06-28 15:52
MOSFET是一种半导体器件，属于可控硅器件，也称为金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它可以用来控制电流和电压。
2023-02-17 14:48
为了以良好的稳定性和高带宽调制流过MOSFET的电流，运算放大器必须能够快速改变栅源电压。具有高栅极至源极和栅极至漏极电容 （C一般事务人员和 C广东）将需要更高的驱动电流才能达到所需的压摆率。因此
2022-12-16 14:18
电子电路中的电流通常必须受到限制。例如在USB端口中，必须防止电流过大，以便为电路提供可靠的保护。同样在充电宝中，必须防止电池放电。放电电流过高会导致电池的压降太大和下游设备的供电电压不足。
2023-03-26 11:05
DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。
2020-04-06 11:50
电子电路中的电流通常必须受到限制。例如，在USB端口中，必须防止电流过大，以便为电路提供可靠的保护。同样，在充电宝中，必须防止电池放电。放电电流过高会导致电池的压降太大和下游设备的供电电压不足。
2023-07-08 10:37
本文介绍了MOSFET的物理实现和操作理论。MOSFET由NMOS和PMOS构成，有截止区、线性区和饱和区。图示了NMOS和PMOS的物理结构，以及针对不同驱动电压的电流-电压曲线。还讨论了饱和区的细节，展示了NMO
2023-11-15 09:30
式增加的现象称为“雪崩击穿”。在这种雪崩击穿期间，与 MOSFET内部二极管电流呈反方向流动的电流称为“雪崩电流IAS”，参见下图(1)。
2022-04-19 15:10
