功率MOSFET来说，通常连续漏极电流是一个计算值。当器件的封装和芯片的大小一定时，如对于底部有裸露铜皮的封装TO220，D2PAK，DFN5*6，DPAK等，那么器件的结到裸露铜皮的热阻RqJC是一
2016-08-15 14:31
不用区分EAR和EAS，IAR和IAS。在雪崩曲线上更短的持续时间，可以使用时间来计算最大允许的雪崩电流，从平均功耗P和热阻来估计初始的结温TJ。正因为如此，现在许多公司功率MOSFET的数据表中，不再标示
2017-09-22 11:44
如何选择D类放大器的Mosfet How to choose MOSFETs for Class D amplifiers Learn
2009-12-17 15:24
场效应晶体管的结构如图1所示，栅极，漏极和源极都在硅片的上表面，下部为衬底，当电流从漏极流向源极时，电流在硅片内部横向流动，而且主要从硅片的上表层流过，因此没有充分应用
2016-10-10 10:58
：t0-t1起始状态从t0时刻开始，当驱动电压信号通过电阻加在功率MOSFET的栅极G时，驱动电压对G极的电容充电，G极电压成指数上升。MOSFET的漏极和源极所加的电压VDS为电源电压VDD，漏极
2017-02-24 15:05
BUCK变换器的下管电流从S流向D，和通常主开关管的电流流向、也就是
2016-11-08 17:14
N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS（ON）。必须清楚
2011-08-17 14:18
应用中使用的功率IGBT和MOSFET。 输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。 该光电耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定功率高达800 V / 50 A的IGBT。对于
2019-10-30 15:23
第四部份似乎很相似，这样做可行么？问题分析：系统短路的时候，功率MOSFET相当于工作在放大的线性区，降低驱动电压，可以降低跨导限制的最大电流，从而降低系统的短路电流，从
2016-12-21 11:39
典型应用降压配置中的模拟调光，当VIN2超过150V时，用于RT8485高压大电流LED驱动器控制器，用于降压，升压或降压 - 升压拓扑。 RT8485是一款电流模式PWM控制器，设计用于驱动外部MOSFET，用于高
2019-10-21 08:35
