最大的连续漏极电流ID的计算公式： 其中，RDS(ON)_TJ(max)为在最大工作结温TJ下，功率MOSFET的导通电阻；通常，硅片允许的最大工作结温为150℃。热阻RqJC的测量可以参见文章：功率
2016-08-15 14:31
电容降压电路用的人还蛮多，但是很多人都不会计算输出电流，看他们都用阻抗的方法计算，其实是错的，其一是有Vout输出时电路是非线性的,不能用线性公式计算,其二阻抗算出的电流是有效值，比输出端的整流平均
2012-01-11 20:43
有些功率MOSFET的数据表中列出了重复雪崩电流IAR和重复雪崩能量EAR，同时标注了测量条件，通常有起始温度25C，最高结温150C或者175C，以及电感值、脉冲宽度和脉冲频率，这些测量的条件
2017-09-22 11:44
时刻并不一样，因此开通时刻和关断时刻的米勒平台电压VGP也不一样，要分别根据各自的电流和跨导计算实际的米勒平台电压。（2）模式M2：t6-t7在t6时刻，功率MOSFET进入关断的米勒平台区，这个阶段
2017-03-06 15:19
典型应用降压配置中的模拟调光，当VIN2超过150V时，用于RT8485高压大电流LED驱动器控制器，用于降压，升压或降压 - 升压拓扑。 RT8485是一款电流模式PWM控制器，设计用于驱动外部MOSFET，用于高
2019-10-21 08:35
N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS（ON）。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是
2011-08-17 14:18
典型应用降压 - 升压配置模拟调光，用于RT8485高压大电流LED驱动器控制器，用于降压，升压或降压 - 升压拓扑。 RT8485是一款电流模式PWM控制器，设计用于驱动外部MOSFET，用于高
2019-10-16 08:35
典型应用降压 - 升压配置中的模拟调光，用于RT8475高压大电流LED驱动器控制器，用于降压和升压或降压 - 升压拓扑。 RT8475是一款电流模式PWM控制器，设计用于驱动外部MOSFET，用于高
2019-10-16 08:39
用于降压配置的典型应用模拟调光用于RT8462高压大电流LED驱动器控制器，用于降压，升压或降压 - 升压拓扑。 RT8462是一款电流模式PWM控制器，设计用于驱动外部MOSFET，用于高
2019-10-18 08:35
典型应用降压 - 升压配置模拟调光，用于RT8482高压大电流LED驱动器控制器，用于降压 - 升压或降压 - 升压拓扑。 RT8482是一款电流模式PWM控制器，设计用于驱动外部MOSFET，用于高
2019-10-14 08:47
