最大的连续漏极电流ID的计算公式： 其中，RDS(ON)_TJ(max)为在最大工作结温TJ下，功率MOSFET的导通电阻；通常，硅片允许的最大工作结温为150℃。热阻RqJC的测量可以参见文章：功率
2016-08-15 14:31
您好，我在设计基于MOSFET的VI电流源时参考了文献sboa327中的示例，但是在进行稳定性分析时得不到文献中的结果，TI Precision labs也看了，没有带MOSFET的例子。能否帮我
2024-07-31 06:41
，如公式3所示。为了计算空载时间Δt，也需要有效电容： 测量有效电容有几种不同的方法来测量MOSFET的有效输出电容。利用?定输出电压可为输出电容充电，提供与时间相关的有效值。第二种方法是以?定电流
2014-10-08 12:00
【不懂就问】在单端反激电路中常见的一部分电路就是RCD组成的吸收电路，或者钳位电路，与变压器原边并联其目的是吸收MOSFET在关断时，引起的突波，尖峰电压电流到那时MOSFET是压控器件，为什么在关断时会引起尖峰电压
2018-07-10 10:03
是否有白皮书明确规定了如何使用 MosFET 开启特性来抑制浪涌电流？ 设计类似于 TLE9853 评估板，H-bridge 具有更大的 Mosfet。 通过模拟感性负载，我们 CAN 控制
2024-01-29 07:41
MOSFET的驱动电流 按I=Qg/td(on)+tr和I=Qg/td(off)+tf算下来的电流区别还很大,I=Qg/Ton,这边的Ton是按什么算?求指教
2018-12-29 09:25
损耗。2.65A PFC交流输入电流等于MOSFET中由公式2计算所得的2.29A RMS。MOSFET传导损耗、I2R，利用公
2018-08-27 20:50
米勒平台的时间t3为： t3也可以用下面公式计算： 注意到了米勒平台后，漏极电流达到系统最大电流ID，就保持在电路决定的恒定最大值ID，漏极电压开始下降，MOSFET
2025-02-26 14:41
功率MOSFET的电流感知有哪几种方法？SenseFET方法检测电流的工作原理是什么？影响电流检测准确性的原因有哪些？
2021-04-21 07:16
。这两个参数可以通过如下两个公式获得，重点强调一点，与功耗温度曲线密切相关的重要参数热阻，是材料和尺寸或者表面积的函数。随着结温的升高，允许的功耗会随之降低。根据最大结温和热阻，可以推算出MOSFET可以
2018-07-12 11:34
