电压在12V左右，以保护Q1；3.C2作用为滤除MOS_ON上的干扰以及延缓Q1上下电时间，如下图：分别为添加电容和不添加电容Q1门极电压变化情况结论：通过在开关g s 并联电
2021-12-30 07:40
进行过详细的理论和实际介绍。，也就是说，等效电容值的大小会随着Vds的变化而变化。如下图所示，以Infineon的IPP60R190P6为例：LLC串联谐振电路MOSFET
2018-07-18 10:09
的最大直流电压，又称耐压。对于结构、介质、容量相同的器件，耐压越高，体积越大。3、温度系数：在一定温度范围内，温度每变化1℃，电容量的相对变化值。温度系数越小越好。4、绝缘电阻：用来表明漏电大小的。一般
2016-05-23 11:40
在设计电路的时候，遇到电解电容。大家是不是会向我一样花很多时间来寻找封装？下面我给大家分享一个表格，里面有常用的电解电容的封装尺寸。
2020-03-29 19:28
，即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围
2011-08-17 14:18
偷工减料之危害性，笔者萌发出了一个想法：把一颗高品质PC电源内部某些元器件“摘掉”的话，它的整体性能会有什么变化呢？ X电容与Y电容 EMI设计是电路中非常重要的一部分，而X
2020-10-22 10:37
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:54 编辑 贴片铝电解电容封装尺寸定义
2012-07-27 17:16
详细讲解电阻电容等常见元器件的封装信息以及性能尺寸参考文献：http://www.51hei.com/bbs/dpj-43784-1.html贴片电阻常见封装有9种，用两种尺寸代码来表示。一种
2021-11-30 06:19
MOSFET和开关频率不太高的中压功率MOSFET。如果需要低的导通电阻，只有增大的晶片面积，晶片的面积受到封装尺寸的限制，因此不适合于一些高功率密度的应用。平面型高压的功率M
2016-10-10 10:58
，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOSFET并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOSFET在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化
2013-03-11 10:49
