现在所有电子产品中的芯片、放大器中的基本结构就是MOSFET，学好MOSFET是理解这些芯片、放大电路的前提。
2023-02-16 11:34
长度L随着V_DS的增加而略有减少，因此I_D随着V_DS的增加而略有增加。I_D可以使用以下公式表示 如果不考虑通道长度的变化，则V_A是无限的，而如果我们考虑通道长度的变化，则V_A是有限的值。随V_DS变化的I_D的伏安特性曲线如下。 二、MOSFET的结构
2021-04-23 17:03
MOSFET是对称的，只有栅极是确定的，哪一端是源级，哪一端是漏极只有加载了电压才能确定。对于NMOS来说，它靠电子导电，电子的“源泉”定义为源级。所以电压低的一端是源级，电压高的一端是漏极。
2020-04-04 15:10
上一期中提到 当V_DS>V_GS-V_TH时，沟道中出现夹断效应，沟道的长度对略微减小。很多场景我们可以忽略这个长度的变化，但是当精度要求比较高的时候，我们就需要把沟道长度的变化考虑进来。
2023-02-16 11:38
本文报道了TSV过程的细节。还显示了可以在8-in上均匀地形成许多小的tsv(直径:6 m，深度:22 m)。通过这种TSV工艺的晶片。我们华林科纳研究了TSV的电学特性，结果表明TSV具有低电阻和低电容；小的TSV-硅漏电流和大约83%的高TSV产率。
2022-06-16 14:02
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性：在功率转换中，MOSFET基本上被用
2023-02-09 10:19
碳化硅（SiC）MOSFET作为宽禁带半导体材料（WBG）的一种，具有许多优异的参数特性，这些特性使其在高压、高速、高温等应用中表现出色。本文将详细探讨SiC MOSFET
2025-02-02 13:48
继上一篇MOSFET的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性--栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的温度
2023-02-09 10:19
MOSFET特性参数说明
2022-08-22 09:54
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12
