功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12
在本例中，通过使用FDTD求解器和CHARGE求解器对CMOS图像传感器的光学和电学特性进行仿真，从而分析其角度响应。仿真的结果主要包括：光的空间分布与传输，光效率及量子效率与光入射角度的关系，同时还分析了微透镜位移产生的影响。
2022-10-19 11:51
MOSFET特性参数说明
2022-08-22 09:54
集成电路、功率电子、模拟电路等领域扮演着至关重要的角色。本文将详细阐述MOSFET的结构和工作特性，并通过数字和信息进行具体说明。
2024-05-28 14:35
MOSFET是电子系统中的重要部件，需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。这些关键指标中，以静态特性和动态特性更为重要，本文主要讨论静态
2018-06-29 11:10
MOSFET的非理想特性对模拟集成电路设计具有重要影响。文章介绍了非理想特性的多个方面，包括电容、体效应、沟道长度调制、亚阈值导通、迁移率下降以及饱和速度和压敏降阈。同时，工艺、电压和温度变化也对晶体管性能产生影响。
2023-11-16 16:15
在物理学的广阔天地中，电阻率作为描述物质导电性能的重要参数，扮演着举足轻重的角色。而在电子学、材料科学及众多工程技术领域中，体积电阻率和表面电阻率作为电阻率的两种表现形式，更是成为了衡量材料电学特性
2025-10-15 14:21 深圳市日图科技有限公司 企业号
本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响，并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点，推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电路的SI
2015-06-12 09:51
关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。
2022-08-01 09:51
