现在所有电子产品中的芯片、放大器中的基本结构就是MOSFET，学好MOSFET是理解这些芯片、放大电路的前提。
2023-02-16 11:34
长度L随着V_DS的增加而略有减少，因此I_D随着V_DS的增加而略有增加。I_D可以使用以下公式表示 如果不考虑通道长度的变化，则V_A是无限的，而如果我们考虑通道长度的变化，则V_A是有限的值。随V_DS变化的I_D的伏安特性曲线如下。 二、MOSFET的结构
2021-04-23 17:03
的电学特性方面非常准确。虽然它主要用于IC设计，但我没有其他选择，只能使用分立元件实现我的设计。即便如此，BSIM是否也是ADS的发展方向？我还需要考虑或解决哪些其他问题？我该如何设置？谢谢。编辑
2018-09-26 15:08
电阻和电容的基本电学特性:电阻对电流形成阻力，电阻消耗功率，理想化的电阻元件，电阻器的分类与型号表示法等内容。
2009-09-22 08:12
MOSFET是对称的，只有栅极是确定的，哪一端是源级，哪一端是漏极只有加载了电压才能确定。对于NMOS来说，它靠电子导电，电子的“源泉”定义为源级。所以电压低的一端是源级，电压高的一端是漏极。
2020-04-04 15:10
电学元件的伏安特性测量:电路中有各种电学元件，如线性电阻，半导体二极管和三极管，以及光敏，热敏和压敏元件等。
2010-10-06 10:54
热敏电阻电学特性热敏电阻的物理特性用下列参数表示：电阻值、B值、耗散系数、热时间常数、电阻温度系数。
2010-01-14 11:03
关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-
2019-04-10 06:20
有效地表征超薄SIMOX材料的电学性质。<br/>【关键词】：SOI;;SIMOX;;Pseudo-MOSFET;;隐埋氧化层<br/>【DOI
2010-04-24 09:02
上一期中提到 当V_DS>V_GS-V_TH时，沟道中出现夹断效应，沟道的长度对略微减小。很多场景我们可以忽略这个长度的变化，但是当精度要求比较高的时候，我们就需要把沟道长度的变化考虑进来。
2023-02-16 11:38
