损耗是MOSFET的Qg乘以驱动器电压和开关频率的值。Qg请参考所使用的MOSFET的技术规格书。驱动器
2020-04-05 11:52
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。本文探讨
2016-12-15 16:00
在电子工程领域中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）因其高集成度、低功耗等特性而被广泛应用于各种电子设备中。然而，MOSFET在开关过程中可能会产生尖峰电压，这不仅会影响电路的稳定性，还可
2024-05-30 15:49
）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极
2017-12-19 12:44
MOSFET驱动器功耗 MOSFET驱动器的功耗包含三部分： 由于MOSFET栅极电容充电和放电产生的功耗。 由于
2024-10-29 10:45
晶体管，它属于电压控制型半导体器件。根据导电沟道类型和栅极驱动电压的不同，可以分为N沟道-增强型
2023-11-07 14:51
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通
2019-12-09 13:58
在上述电路中，无需使用其它DC-DC元件，仅使用一颗耗尽型MOSFET，即可将较高的电压转换为稳定的低电压给LDO输入端供电。LDO的输入
2023-11-08 11:28
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的阈值电压（Vt）是其工作性能中的一个关键参数，它决定了晶体管从关闭状态过渡到开启状态所需的栅极电压大小。MOSFET的阈值
2024-05-30 16:41
功率MOSFET具有开关速度快，导通电阻小等优点，因此在开关电源，马达控制等电子系统中的应用越来越广。通常在实际的设计过程中，电子工程师对其的驱动电路以及驱动电路的参数调整并不是十分关注，尤其是
2021-03-07 10:47
