℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。关于雪崩击穿问题将在雪崩能量的相关章节专门的讨论。 图1：BVDSS测试电路功率MOSFET的耐压由结构中低掺杂层
2016-09-06 15:41
独立看门狗的喂狗时间长短由分频系数和重装值决定。分频系数最大设置数值为7，下图为设置数值和实际分频系数对应关系，知6和7对应最大分频倍数：256分频独立看门狗使用的是内部独立的RC振荡器，频率为
2021-07-30 06:50
AL9910通用高压高亮度LED驱动器的典型应用。 AL9910 / A高压PWM LED驱动器控制器为整流线电压范围为85VAC至277VAC的离线高亮度LED灯提供了有效的解决方案。 AL9910以高达300kHz的开关频率驱动外部MOSFET，开关频率由单个
2019-10-15 06:06
讨论如何根据RDS（ON）、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。 MOSFET的选择 MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，
2011-08-17 14:18
性负载两端连接了一个简单的飞轮二极管，以在MOSFET将其“关断”时消散电动机产生的任何反电动势。由齐纳二极管与二极管串联形成的钳位网络也可用于允许更快地切换以及更好地控制峰值反向电压和压
2021-09-13 08:27
应用电路使用ADuM3100数字隔离器是由高功率开关MOSFET组成的H桥，由低压逻辑信号控制。该电路在逻辑信号和高功率电桥之间提供了方便的接口。该桥使用低成本N沟道功率MOS
2019-11-07 08:53
，表明MOSFET沟道导通。当Vgs进一步增加，Rdson下降比较来缓，因为沟道完全导通，MOSFET导通电阻由其它的电阻组成部分决定。当器件缩小到更小的尺寸，RS ,
2016-10-10 10:58
和反向恢复电荷（Qrr）的函数。栅极驱动损耗由MOSFET的栅电荷（Qg）决定。因此,寄生电容和导通电阻（RDS(on)）决定了器件在特定应用中的性能。在现今的低压
2012-12-06 14:32
工程师习惯性的认为：如果VGS尖峰电压大于功率MOSFET的阈值电压VTH，下管就会导通，那么上、下管就会产生直通，也就是所谓的Shoot Through，从而导致开关管的损坏。VTH，功率
2016-11-08 17:14
14W CFL镇流器的设计和性能测试。该电路基于由MOSFET半桥驱动的谐振拓扑。该电路由IR2520D镇流器控制IC控制
2019-10-10 08:40
