（典型值），采用SOW-18（宽体）封装， 高达5000Vrms的隔离电压，适用于于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET等功率器件。BTD25350功
2023-11-30 09:42 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
方案介绍：DC24V 电源广泛使用在汽车电子设备、工业控制、通信安防等重要领域，电源作为电子产品的“心脏”，它能否稳定可靠的运行，直接决定着产品最终的可靠性，实际应用中较远距离的传输、复杂的电磁环境
2022-06-23 14:42 深圳市优恩半导体有限公司 企业号
目前，传统的直流充电桩拓扑电路，一般是三相交流380V输入电压经过PFC维也纳AC/DC电路后，得到直流母线电压，然后经过两路全桥LLC DC/DC电路，输出200V到1000V高压给新能源汽车充电
2023-08-02 10:29 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
应用信息◆输出电流输出电流由芯片内部的误差放大器采样并且和内部 的基准电压进行比较以及误差放大，从而实现系统 的恒流控制，输出电流公式如下: Iout=176mV/RCS◆芯片工作系统上电后通过启动
2023-01-04 10:59 深圳世微半导体有限公司 企业号
简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器， 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S逻辑
2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
方案简介：DC12V 电源广泛使用在汽车电子设备、工业控制、通信安防等重要领域，电源作为电子产品的“心脏”，它能否稳定可靠的运行，直接决定着产品最终的可靠性，实际应用中复杂的电磁环境，导致设备及易
2022-06-15 14:09 深圳市优恩半导体有限公司 企业号
第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的击穿电压强度，更低的损耗和
2023-05-29 10:16 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
