MOSFET失效原因全分析
2019-03-04 23:17
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 编辑 电容器的常见失效模式有：――击穿短路；致命失效――开路；致命失效――电参数变化（包括电容量超差、损耗角正切值增大、绝缘性能下降
2011-12-03 21:29
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。关于雪崩击穿问题将在雪崩能量的相关章节专门的讨论。 图1：BVDSS测试电路功率MOSFET的耐压由结构中低掺杂层
2016-09-06 15:41
的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使
2011-08-17 14:18
失效分析方法---PCB失效分析该方法主要分为三个部分，将三个部分的方法融汇贯通，不仅能帮助我们在实际案例分析过程中能够快速地解决失效问题，定位根因；还能根据我们建立的框架对新进工程师进行培训，方便
2020-03-10 10:42
失效分析（FA）是一门发展中的新兴学科，近年开始从军工向普通企业普及。它一般根据失效模式和现象，通过分析和验证，模拟重现失效的现象，找出失效的原因，挖掘出
2020-04-07 10:11
的转型期，客户对PCB制程及组装的认识尚有较大差异，于是类似漏电、开路（线路、孔）、焊接不良、爆板分层之类的失效常常发生，常引起供应商与用户间的质量责任纠纷，为此导致了严重的经济损失。通过对PCB
2020-02-25 16:04
工程师习惯性的认为：如果VGS尖峰电压大于功率MOSFET的阈值电压VTH，下管就会导通，那么上、下管就会产生直通，也就是所谓的Shoot Through，从而导致开关管的损坏。VTH，功率
2016-11-08 17:14
为什么MOSFET只加驱动电压10V左右就开始发热，请各位大神给予意见，谢谢！！
2013-05-16 19:48
电子元器件由静电放电引发的失效可分为突发性失效和潜在性失效两种模式。 突发性失效是指元器件受到静电放电损伤后，突然完全丧失其规定的功能，主要表现为开路、短路或参数严
2013-03-25 12:55
