设计了一个用NE555的二次升压脉冲电击器电路。本人水平有限，不知道电路是否存在问题，请各位行家不吝赐教，先谢谢各位了！目前有几个问题，第一是有无设计错误，第二是元件参数选择是否合适，第三是2个变压器选用材料（磁芯、线圈如何选择和绕制）。
2016-03-22 12:50
MOS管为什么会被静电击穿？静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗？
2021-02-02 07:46
本人想做一个20000V高压电击棒，整个电路经升压后，最末端需要一个高压电容储电么，但是又没有这么高压的电容，好买的只有一个CBB81电容2000V，串联的话又要好多，请大家给下意见
2015-09-29 15:11
应用，处理此类应用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或简称SiC已被证明是一种材料，可以用来构建类似MOSFET的组件，使电路具有比以往IGBT更高的效率。如今，SiC受到了很多关注，不仅因为它
2023-02-24 15:03
目前大概用了50000片芯片，其中1片芯片EN脚关不断，综合分析了各种可能发生的原因，怀疑是芯片静电击穿，只有1PCS，开盖分析没有明显不良，要怎么证明是静电击穿啊
2023-03-29 15:07
` 谁来阐述一下mosfet是什么型器件？`
2019-10-25 16:06
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些应用？
2021-07-09 07:45
谁来阐述一下mosfet是电压型器件吗
2019-10-25 15:58
什么是MOSFET驱动器？MOSFET驱动器功耗包括哪些部分？如何计算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53
mosfet没有上电时，mosfet驱动电压很正常，mosfet上电后，mosfet的驱动电压却变成了这个样子，请问这是为什么？
2019-03-05 09:53
