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  • 高质量防电击西装制作方法

    你们都很强壮可以保护自己和爱人不受坏蛋的迫害。但是,如果坏人突然从背后袭击你怎么办?今天我们小手把小手来教您一小时内自制出一件高质量防电击西装,当然你们可以根据这个原理自制防电击裤,防电击手套。

    2018-09-07 16:05

  • MOSFET和IGBT区别及高导热绝缘氮化硼材料MOSFET的应用

    引言:EV和充电桩将成为IGBT和MOSFET最大单一产业链市场!EV中的电机控制系统、引擎控制系统、车身控制系统均需使用大量的半导体功率器件,它的普及为汽车功率半导体市场打开了增长的窗口。充电桩中

    2024-02-19 12:28 向欣电子 企业号

  • MOS管引起静电击穿的原因及解决方法

    其实MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。

    2022-05-16 15:05

  • MOS管为什么会被静电击穿?

    MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏),又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。

    2016-04-06 14:21

  • MOS管被静电击穿的原因分析

    MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。

    2016-06-02 11:01

  • 使用NI LabVIEW FPGA与智能DAQ的自动高电压电击测试

    前款手动系统即透过平行通讯埠同步执行 12 个模块,仅可测试 1 种 HV 电击器,且测试 12 组仪器需耗时 135 分钟。新的自动化系统可透过 FPGA 数位 I/O 通讯功能,非同步执行 12

    2017-11-18 18:31

  • 宽禁带器件和仿真环境介绍

    宽禁带材料实现了较当前硅基技术的飞跃。 它们的大带隙导致较高的介电击穿,从而降低了导通电阻(RSP)。 更高的电子饱和速度支持高频设计和工作,降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下的工作。 安森美

    2020-05-28 09:58

  • 对SiC-MOSFET与IGBT的区别进行介绍

    众所周知,SiC材料的特性和优势已被大规模地证实,它被认为是用于高电压、高频率的功率器件的理想半导体材料。SiC器件的可靠性是开发工程师所关心的重点之一,因为在出现基于Si材料的IGBT

    2017-12-21 09:07

  • MOSFET的原理 MOSFET的优缺点

      MOSFET是一种半导体器件,属于可控硅器件,也称为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),它可以用来控制电流和电压。

    2023-02-17 14:48

  • 耐高温绝缘陶瓷涂层IGBT/MOSFET应用 | 全球领先技术工艺材料

    IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)都是重要的半导体功率器件,它们在电子电路中发挥着关键作用。以下是IGBT和MOSFET的特性及用途的介绍:IGBT的特性

    2025-01-23 08:20 向欣电子 企业号