。本篇将以ROHM的产品阵容及其特征作为SJ-MOSFET的具体案例来进行说明。SJ-MOSFET的种类以ROHM为例，SJ-MOSFET是根据噪声、导通电阻、高速性及
2018-12-03 14:27
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40
度的漂移层实现高耐压。 因此，在相同的耐压值情况下，SiC可以得到标准化导通电阻（单位面积导通电阻）更低的器件。 例如900V时，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1
2023-02-07 16:40
”）应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，这里给出了DMOS结构，不过目前ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。具体情况计划后续进行介绍。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35
人脸检测是指从输入图片或视频中找到人脸的精确位置并确定其大小。为了应对尺度多样性特别是小尺寸人脸给人脸检测任务带来的困难，文中提岀一种新的基于特征图融合的小尺寸人脸检测方法。首先，合理地选择待检测
2021-05-29 14:17
不同特征尺寸的MOS晶体管,计算了由这些晶体管组成的静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转的临界电荷Qcrit、LET阈值(LETth),建立了LETth与临界电荷之间的解析关系,研究了特征工艺
2010-04-22 11:50
继前篇结束的SiC-SBD之后，本篇进入SiC-MOSFET相关的内容介绍。功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。
2023-02-08 13:43
Fig. 2标出了我们所关注的MOSFET器件的几何尺寸，包括沟道的有效长度L_eff（导体的长度L_drawn略大于L_eff），沟道的宽度W，绝缘层的厚度t_ox，这些参数主要影响沟道两侧的电容和沟道的电阻，从而影响着电压电流的关系，后面的表达式会用到这些
2023-02-16 11:35
功率 MOSFET 上电气过载的故障特征-AN11243
2023-02-23 19:03
