前几期讲的MOSFET的物理结构、电学特性是我们研究MOSFET的基础，只掌握这些在实际电路中是没法用的，今天讲的内容才是我们在电路设计中所用到的，但是前几期的内容都是
2023-02-16 11:50
本文介绍了MOSFET的物理实现和操作理论。MOSFET由NMOS和PMOS构成，有截止区、线性区和饱和区。图示了NMOS和PMOS的物理
2023-11-15 09:30
功率器件MOSFET的物理开盖手法
2022-07-05 16:14
SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构，主要有二种：平面结构和沟槽结构。平面SiC MOSFET的
2023-02-16 09:40
UMTS的物理结构模型
2009-09-18 15:13
（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET的结构有：横向导电双扩散型场效应晶体管LDMOS
2023-06-05 15:12
极（ Drain ）和源极（ Source ）。功率 MOSFET 为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的 MOSFET 的结构有：横向导电双扩散型
2023-06-28 08:39
MOSFET结构、特性参数及设计详解
2023-01-26 16:47
SiC MOSFET的桥式结构
2023-12-07 16:00
USB物理总线的拓扑结构 USB系统中的设备与主机的连接方式采用的是星形连接，如图4-5。
2008-07-02 13:08
