前言这篇详细的介绍了电机中的热阻网络模型该怎么建立，虽然是以某一个特定的永磁同步电机为例子，但是把它的思路给领会到了，在刻画其他模型的时候就是举一反三的事。再次感谢《基于热
2021-08-30 07:42
MOSFET的加热，我们认为此时TPG=TSDN。热阻计算公式其中，因此，我们可以求得此时板上的热阻。下面我们将介绍如何
2022-11-03 06:34
功率型LED热阻测量的新方法摘 要： LED照明成为21世纪最引人注目的新技术领域之一，而功率型LED优异的散热特性和光学特性更能适应普通照明领域的需要。提出了一种电学法测量功率LED热
2009-10-19 15:16
功率MOSFET来说，通常连续漏极电流是一个计算值。当器件的封装和芯片的大小一定时，如对于底部有裸露铜皮的封装TO220，D2PAK，DFN5*6，DPAK等，那么器件的结到裸露铜皮的热阻RqJC是一
2016-08-15 14:31
和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOSFET的资料表上还有一些需要注意的测量数据；比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温
2011-08-17 14:18
器件。在这两种封装中,管芯（图中的红色部分）被安装在引脚衬底上,铜连接片用于连接管芯顶部到右侧的源极引脚。这种结构降低了从管芯到顶部的热阻（RθJT）,可以从标准QFN封装中大约10℃ /W的热
2012-12-06 14:32
MOSFET的耐压、电流特性和热阻特性，来理解功率MOSFET的安全工作区SOA曲线。它定义了最大的漏源极电压值、漏极电流值，以保证器件在正向偏置时安全的工作，如下图，
2016-10-31 13:39
许多半导体器件在脉冲功率条件下工作，器件的温升与脉冲宽度及占空比有关，因此在许多场合下需要了解器件与施加功率时间相关的热特性；除了与功率持续时间外，半导体器件的瞬态热阻与器件材料的几何尺寸、比热容、热扩散系数有关，因
2019-05-31 07:36
阻，减小热阻。这种结构是AOS的专利技术，目前AOS新一代的低、中压的功率MOSFET，广泛的采用这种结构，如AON6262E/AO4262E，就是采用这种技术，专门针对手机快冲QC的副边同步整流SSR
2016-10-10 10:58
不会失效。在MOSFET的资料表上还有一些需要注意的测量数据;比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。器件的结温等于最大环境温度加上热
2013-03-11 10:49
