康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET、JFET中都有提到，都是在栅
2019-04-08 03:57
各位大神，可否用IR2113 驱动共源集MOSfet ,且mosfet关断时，源集漏集
2017-08-16 16:03
普通N MOS管给栅极一个高电压 ，漏极一个低电压，漏源极就能导通。这个GS之间加了背靠背的稳压管，给栅极一个4-10V
2019-06-21 13:30
全桥单向DC-DC变换器中，MOSFET漏源电压波形如图所示振荡很严重，这种现象在1kHz的时候不明显，50khz的时候如图所示很明显，请问是为什么？
2022-04-25 11:19
电路设计如图；问题：MOSFET测量栅极有开启电压+3.6V，漏极电压+12V，但是源极
2019-09-11 14:32
电压，VIN为输入电压，VOUT为输出电压。输入与输出电压可以转换为MOSFET的
2021-04-08 11:37
完全触发P-MOSFET的栅极。我对电子学的简短了解已被打败，因为我无法绕过这个。鉴于栅极电压很高，N-MOSFET将在其源极上施加全
2018-08-23 10:30
两层电源板，板子设计中有4个MOSFET管串联，由于只有两层，四个MOSFET管的3个源级要过大电流，所以用铜连接在一起；四个MOSFET管栅极串联的线走在器件
2018-07-24 16:19
为什么n外延层中掺杂浓度低时漏区先击穿，掺杂浓度较高时却是源区先击穿呢？（N外延区均全耗尽）能详细讲一下这个过程吗，这里不太能理解，谢谢。
2021-09-11 18:48
MOSFET的栅极电荷特性与开关过程MOSFET的漏极导通特性与开关过程
2021-04-14 06:52
