漏极外接二极管（Drain-Source Diode，简称D-S二极管）在MOSFET电路中起到了重要的作用，本文将介绍MOSFET源极和
2024-01-31 13:39
分立MOSFET数据手册中最突出的规格之一是漏极 - 源极导通电阻，缩写为R DS （on）。这个R DS （on）的想法看起来非常简单：当FET截止时，源极和
2021-05-15 09:49
在N沟道MOSFET中，源极为P型区域，而在P沟道MOSFET中，源极为N型区域。在MOSFET的工作中，
2023-02-21 17:52
本文开始介绍了击穿电压的概念和击穿电压的主要因素，其次阐述了击穿电压的工
2018-04-03 16:11
功率MOSFET雪崩击穿问题分析 摘要：分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时
2009-07-06 13:49
MOSFET的击穿有哪几种? Source、Drain、Gate 场效应管的三极:源级S 漏级D 栅级G (这里不讲栅极GOX击
2018-01-22 12:15
与传统的双极结晶体管（BJT）相比，它提供了高输入阻抗、低输出阻抗，并且更容易控制。 MOSFET有三个端子；漏极、源极和栅极。源极端子是
2023-08-25 14:49
（Gate）和衬底（Substrate）。在讨论MOSFET的工作原理时，源极和漏极的电流是关键参数之一。 在理想情况下，MOSFET的
2024-09-18 09:58
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛使用的半导体器件，它利用电场来控制电流的流动。在MOSFET中，漏极电压（Vd）是指
2024-09-18 09:52
源极和漏极的区别 源极和漏极是晶体管中的两个重要极，它们在晶体管的工作过程中起着关键作用。源极与
2023-12-07 15:48
