本文开始介绍了击穿电压的概念和击穿电压的主要因素，其次阐述了击穿电压的工
2018-04-03 16:11
MOSFET的击穿有哪几种? Source、Drain、Gate 场效应管的三极:源级S 漏级D 栅级G (这里不讲栅极GOX击
2018-01-22 12:15
（Gate）和衬底（Substrate）。在讨论MOSFET的工作原理时，源极和漏极的电流是关键参数之一。 在理想情况下，MOSFET的
2024-09-18 09:58
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛使用的半导体器件，它利用电场来控制电流的流动。在MOSFET中，漏极电压（Vd）是指
2024-09-18 09:52
源漏扩展结构（Source/Drain Extension,SDE）在控制 MOS 器件的短沟道效应中起到重要作用。SDE（源漏扩展结构）引入了一个浅的
2025-05-27 12:01
在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的
2024-02-23 09:38
在各类电路图中，我们经常可以看到MOSFET在作开关时，其漏极和源极之间有一个寄生二极管，如图1所示。那么这个二极管是用来做什么的？
2023-11-14 16:04
VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。关于计算，栅电压(V)GATE_max) 总是小于VGSth 在所有mosfet中，那么模块将总是能够在关闭状态下开关M
2018-09-23 11:17
源型与漏型是PNP与NPN放大电路的电流流向的一种形象化表述，最初是由日系PLC引入这样的简称，在日系语系用中文字表达的一种方式，在原来的中国学校教育中并不怎么使用“源型”与“
2018-08-08 17:37
与亚微米工艺类似，源漏离子注入工艺是指形成器件的源漏有源区重掺杂的工艺，降低器件有源区的串联电阻，提高器件的速度。同时源
2024-11-09 10:04
