1、电压负载 在具有直流稳压大功率电路的应用中，通常首先考虑选择漏源电压VDS。这里的理由是，在实际工作环境中，MOSFE
2021-11-12 08:12
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。关于雪崩击穿问题将在雪崩能量的
2016-09-06 15:41
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 编辑 反相电压放大（共发射极（共源极）电路），输入电压（电流）增加，输出电压下降。是因为管压降低了，相
2012-07-09 17:45
N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。
2011-08-17 14:18
`今天修了个动力源4850B，两个桥被击穿了，更换3510`
2012-02-12 22:12
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的
2016-10-10 10:58
1中的t1），源极电压（VGS）正接近MOSFET的阈值电压，VTH和漏电流为零。因此，在此期间的功率损耗为零。在t2时段，MO
2022-11-16 08:00
文章目录1 理想电压源和实际电压源1.1 理想电压源和实际
2021-12-31 06:56
达到击穿电压。 击穿电压是电容器的极限电压，超过这个电压，电容器内的介
2018-03-28 10:17
电压源：1.n个电压源串联等效于一个电压源，
2021-12-27 08:31
