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，而想要实现这一目标，一个不受输入电压或环境温度等条件的影响、不随系统波动的电压基准源必不可少。 电压基准源是

2023-09-25 09:45 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号

的一系列样值，然后重构波形。 为了保证示波器测量中信号的准确性和完整性，一般需要电压基准源用于维持恒定的输出电压。国芯思辰超低噪声、低温漂的GREF05

2023-11-22 10:44 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号

第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的击穿电压强度，更低的损耗和

2023-05-29 10:16 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号

较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 30v大电流mos管SVG030R7NL5：采用PDFN-8-5X6封装，漏源电压VDS=30V，

2022-08-30 13:54 深圳市骊微电子科技 企业号

 器件描述：漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 栅源极阈值

2023-08-21 10:49 深圳上大科技 企业号

这个功率MOSFET是使用米特克的先进的屏蔽栅MOSFET技术。这项先进的技术是特别定制的为了最大限度地减少导通状态电阻，提供优越的开关性能优良，并能承受高能脉冲中的冲击雪崩和换向模式。这些设备很好

2024-09-26 11:19 腾震粤电子 企业号

 管网漏损不仅会造成水资源浪费，增加供水企业成本，并且会影响供水水质，给饮水安全带来隐患。因此，很多水利水务企业都在寻求减少漏损的方法以降低成本与浪费，数之能为其提供高效实用的物联网

2023-10-31 09:13 数之能 企业号

（典型值），采用SOW-18（宽体）封装， 高达5000Vrms的隔离电压，适用于于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET等功率器件。BTD25350功

2023-11-30 09:42 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号

上海伯东美国 KRi 霍尔离子源辅助镀膜 IBAD 应用上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 EH 系列, 提供高电流低能量宽束型离子束, KRi 霍尔离子源可以以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种

2023-05-11 13:26 伯东企业（上海）有限公司 企业号

的过压箝位到电压限值。这是通PN结的低阻抗雪崩击穿实现的。当产生大于TVS的击穿电压的瞬变电压时， TVS会将

2022-06-21 14:41 常州鼎先电子有限公司 企业号