全桥单向DC-DC变换器中，MOSFET漏源电压波形如图所示振荡很严重，这种现象在1kHz的时候不明显，50khz的时候如图所示很明显，请问是为什么？
2022-04-25 11:19
1、电压负载 在具有直流稳压大功率电路的应用中，通常首先考虑选择漏源电压VDS。这里的理由是，在实际工作环境中，MOSFE
2021-11-12 08:12
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。功率MOSFET的耐压由结构中
2023-02-20 17:21
`功率Mosfet参数介绍V(BR)DSS（有时候叫做BVDSS）是指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏
2012-01-12 16:12
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。关于雪崩击穿问题将在雪崩能量的
2016-09-06 15:41
康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET、JFET中都有提到，都是在栅
2019-04-08 03:57
各位大神，可否用IR2113 驱动共源集MOSfet ,且mosfet关断时，源集漏集
2017-08-16 16:03
普通N MOS管给栅极一个高电压 ，漏极一个低电压，漏源极就能导通。这个GS之间加了背靠背的稳压管，给栅极一个4-10V
2019-06-21 13:30
型及功率型。飞虹MOS管厂家今天要分享的电压型静电击穿的特点。电压型击穿，即MOS管栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使
2019-02-12 13:59
1、结构 第一个功率MOSFET - 与小信号MOSFET不同 -出现在1978年左右上市，主要供应商是Siliconix。它们是所谓的V-MOS设备。MOSFET的特点是
2023-02-20 16:40
