MOSFET的栅极电荷特性与开关过程MOSFET的漏极导通特性与开关过程
2021-04-14 06:52
普通N MOS管给栅极一个高电压 ，漏极一个低电压，漏源极就能导通。这个
2019-06-21 13:30
康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET
2019-04-08 03:57
完全触发P-MOSFET的栅极。我对电子学的简短了解已被打败，因为我无法绕过这个。鉴于栅极电压很高，N-MOSFET将在其源极上施加全
2018-08-23 10:30
电压。将这些式子结合起来，可得到MOSFET栅极驱动电压是漏源电压的函数：VGS=-(R2/R1)VDS二极管规格书下载：
2021-04-08 11:37
电路设计如图；问题：MOSFET测量栅极有开启电压+3.6V，漏极电压+12V，但是源极电压测量为+1V;分析：有可能是
2019-09-11 14:32
的正负极短接，此时的输出电阻是不是等于源极电阻和源漏
2024-01-15 18:06
功率MOSFET的结构特点为什么要在栅极和源极之间并联一个电阻呢？
2021-03-10 06:19
MOSFET驱动电路中自举电容如何发挥作用？为何漏极48V导通后栅极就变成63V了？
2015-07-30 14:49
为了保证Kelvin阻值测量的精度，需要考虑哪几项重要的因素？精确测量功率MOSFET的导通电阻解析
2021-04-14 06:06
