本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 编辑 反相电压放大（共发射极（共源极）电路），输入电压（电流）增加，输出电压下降。是因为管压降低了，相当于管子的
2012-07-09 17:45
` （1）不同耐压的MOS管的导通电阻分布。不同耐压的MOS管，其导通电阻中各部分电阻比例分布也不同。如耐压30V的M
2018-11-01 15:01
测量MOS管的导通电阻除了在选定开关时有用，还在哪些方面有重要的意义？
2012-05-17 10:44
时，在P-和栅极相邻的区域，形成垂直的沟道，电流从漏极流向源极时，同样的，电流垂直流过硅片内部，可以看到，栅极的宽度远小于垂直导电的平面结构，因此具有更小的单元的尺寸，
2016-10-10 10:58
。*3） 导通电阻使MOSFET启动（ON）时漏极与源
2021-07-14 15:17
1、电压负载 在具有直流稳压大功率电路的应用中，通常首先考虑选择漏源电压VDS。这里的理由是，在实际工作环境中，MOSFET的最大峰值漏
2021-11-12 08:12
。图1：正向偏置SOA安全工作区（1）SOA曲线左上方的边界斜线，受漏源极的导通电阻RDS（ON）限制。因为在一定的VG
2016-10-31 13:39
N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从
2011-08-17 14:18
)DSS。它具有正温度特性。故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。5、RDS(on)：在特定的VGS（一般为10V）、结温及漏极电流的条件下，MOSFET导通时
2016-05-23 11:40
最大的连续漏极电流ID的计算公式： 其中，RDS(ON)_TJ(max)为在最大工作结温TJ下，功率MOSFET的导
2016-08-15 14:31
