MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏
2023-02-27 11:52
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 编辑 反相电压放大（共发射极（共源极）电路），输入电压（电流）增加，输出电压下降。是因为管压降低了，相当于管子的
2012-07-09 17:45
普通N MOS管给栅极一个高电压 ，漏极一个低电压，漏源极就能导通。这个
2019-06-21 13:30
时，在P-和栅极相邻的区域，形成垂直的沟道，电流从漏极流向源极时，同样的，电流垂直流过硅片内部，可以看到，栅极的宽度远小于垂直导电的平面结构，因此具有更小的单元的尺寸，
2016-10-10 10:58
极电流保持比例的关系，漏极电流恒定，因此栅极电压也保持恒定，这样栅极电压不变，栅源极间的电容不再流过电流，驱动的电流全部
2025-02-26 14:41
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导
2023-04-11 15:29
。图1：正向偏置SOA安全工作区（1）SOA曲线左上方的边界斜线，受漏源极的导通电阻RDS（ON）限制。因为在一定的VG
2016-10-31 13:39
请教各位大虾，场效应管导通后，源极和漏极的电压是相等的吗?
2013-07-22 11:40
。*3） 导通电阻使MOSFET启动（ON）时漏极与源
2021-07-14 15:17
MOSFET的栅极电荷特性与开关过程MOSFET的漏极导通特性与开关过程
2021-04-14 06:52
