【科普小贴士】MOSFET的性能：漏极电流和功耗
2023-12-07 17:23
漏极外接二极管（Drain-Source Diode，简称D-S二极管）在MOSFET电路中起到了重要的作用，本文将介绍
2024-01-31 13:39
（Gate）和衬底（Substrate）。在讨论MOSFET的工作原理时，源极和漏极的电流是关键参数之一。 在理想情况下
2024-09-18 09:58
MOSFET的漏极导通特性是指在特定的电压和电流条件下，MOSFET允许电流
2023-08-09 14:41
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三
2023-05-30 14:53
本应用笔记介绍了从MOSFET漏极驱动的ZCD（零电流检测）引脚。该文档描述了标准的ZCD配置及其替代和电阻器配置。 CS1601采用ZCD（零
2021-05-21 16:47
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）的连续漏极电流是指在MOS管连续工作状态下，从
2024-09-18 09:56
8.2.4饱和漏极电压8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第８章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：8.2.3
2022-02-25 09:29 深圳市致知行科技有限公司 企业号
它们对饱和区的定义有一些差别。 首先，让我们从基本原理开始理解饱和区。在晶体管中，饱和区是电流最大的区域，通常被用来实现开关操作。晶体管在
2024-02-18 14:35
三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而I
2023-06-05 14:26
