前面讨论过，单纯的考虑IDM电流没有意义，而是考虑最大漏极电流的持续时间。IDM和实际的应用最相关的状态就是系统发生短路，例如在电机控制应用 中，在一些恶劣条件下，由于
2016-08-24 16:02
MOSFET工作也可以工作在饱和区，即放大区恒流状态，此时，电流受到沟道内电子数量的限制，改变漏极电压不能增加流通
2016-08-15 14:31
。是从电压角度理解的，若从电流理解，是同相的。mos管，当Vds过大时，漏极区下面的通道截止，怎么还会有电流当vgs一定，vds持续增大，近
2012-07-09 17:45
二极管1.1二极管材料开启电压导通电压反向饱和电流硅0.50.6-0.8
2021-11-12 08:46
三极管-饱和总结
2012-08-18 08:21
MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小,效率高。输出既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。 三
2011-11-18 22:05
着一定的饱和程度，也对应着跨导限制的最大电流。恒流区也被称为放大区，因为MOSFET也可以作为信号放大元件，可以工作在和三极管相类似的放大状态，
2016-12-21 11:39
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的
2016-10-10 10:58
1中的t1），源极电压（VGS）正接近MOSFET的阈值电压，VTH和漏电流为零。因此，在此期间的功率损耗为零。在t2时段，MOSFET的寄生输入电容（CISS）开始充
2022-11-16 08:00
N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源
2011-08-17 14:18
