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BTD25350双通道隔离，原方带死区时间设置，副方带米勒钳位功能，非常适合充电桩中后级LLC用SiC MOSFET方案 BTD25350系列双通道隔离型门极驱动器，峰值输出电流可达10A

2023-11-30 09:42 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号

 器件描述：漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 栅源极阈值电压

2023-08-21 10:49 深圳上大科技 企业号

 NCP51752是一款隔离单通道栅极驱动器系列产品，具备+4.5A源极电流和-9A吸收峰值电流，专为快速切换设计，能够驱动功率MOSFET和SiC

2025-07-08 23:12 大大通 企业号

DK075G是一款高度集成了650V/160mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片。DK075G检测功率管漏极和源极之间的电压（V DS ）,当 V DS 达到其最低

2024-01-05 18:02 腾震粤电子 企业号

产品概述：DK065G 是一款高度集成了 650V/260mΩ GaN HEMT 的准谐振反激控制 AC-DC 功率开关芯片。DK065G 检测功率管漏极和源极之间的电压（V DS ）,当 V DS

2023-12-16 12:04 腾震粤电子 企业号

产品概述：DK045G 是一款高度集成了 650V/400mΩ GaN HEMT 的准谐振反激控制 AC-DC 功率开关芯片。DK045G 检测功率管漏极和源极之间的电压（V DS ）,当 V DS

2023-12-16 12:01 腾震粤电子 企业号

产品概述： DK012G 是一款高度集成了 650V/2.2Ω GaN HEMT 的准谐振反激控制 AC-DC 功率开关芯片。DK012G 检测功率管漏极和源极之间的电压（VDS）,当 VDS达到其

2024-01-26 16:14 腾震粤电子 企业号

（@100MHz），使用温度范围-55℃~+125℃，元器件尺寸小，DCR小，额定电流大，适用于对元器件尺寸要求高，噪声抑制能力强的电子设备中。背景和开发目的便携

2022-03-01 15:06 szkoyu 企业号

关于MOS管驱动电路设计，本文谈一谈如何让MOS管快速开启和关闭。一般认为MOSFET（MOS管）是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS管的G极和S极之间有结电容

2022-11-08 10:31 嘉瀚芯科技 企业号

AS7202是一种次级侧同步整流器回程转换器。它集成了超低导通状态电阻45V功率MOSFET，即可替代肖特基二极管的高效率。AS7202支持高侧和低侧应用。AS7202内置高压电源的VDD电容器

2023-10-17 17:53 腾震粤电子 企业号