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型号:UTT30N05G-TN3-R-VB 品牌:微碧
### 产品简介:VBsemi UTT30N05G-TN3-R-VB是一款N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有60V的漏极-源极电压
2024-06-17 16:02 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:ZXMN2A02E6TA-VB 品牌:微碧
### 产品简介ZXMN2A02E6TA-VB是VBsemi推出的N沟道场效应管(MOSFET),具有30V的漏极-源极电压额定
2024-06-17 16:25 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:6N95K5-VB TO220 品牌:微碧
处理高电压和电流,适用于多种高要求的应用场合。它具有900V的漏极-源极电压(VDS)额定值和±30V的栅极-源
2024-11-18 16:27 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:6N70S-VB TO251 品牌:微碧
高电压和电流,适用于多种高要求的应用场合。它具有700V的漏极-源极电压(VDS)额定值和±30V的栅极-源
2024-11-18 16:13 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:6N62K3-VB TO220 品牌:微碧
处理高电压和电流,适用于多种高要求的应用场合。它具有600V的漏极-源极电压(VDS)额定值和±30V的栅极-源
2024-11-18 15:56 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:1S30N06L-VB TO252 品牌:微碧
产品简介:1S30N06L-TO252-VB是VBsemi品牌的N沟道场效应管,封装为TO252。它具有60V的漏极-源极电压额定值和45A的
2024-05-20 15:20 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:AP18T10GP-HF-VB 品牌:微碧
极-源极电压(VDS)额定值和最大18A的漏极电流(ID)容量。###
2024-12-17 10:53 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:AP15P10GJ-VB 品牌:微碧
-源极电压(VDS)额定值和最大-12A的漏极电流(ID)容量。### 2. 参数说明- **型号**: AP15P10
2024-12-16 16:27 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:AP13P15GJ-HF-VB 品牌:微碧
极-源极电压(VDS)额定值和最大-5A的漏极电流(ID)容量。###
2024-12-16 16:01 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:AP20P02GH-VB 品牌:微碧
极电压(VDS)额定值和最大-38A的漏极电流(ID)容量。### 2. 参数说明- **型号**: AP20P02GH
2024-12-17 11:22 微碧半导体VBsemi 企业号