1、电压负载 在具有直流稳压大功率电路的应用中，通常首先考虑选择漏源电压VDS。这里的理由是，在实际工作环境中，MOSFET的最大峰值
2021-11-12 08:12
。是从电压角度理解的，若从电流理解，是同相的。mos管，当Vds过大时，漏极区下面的通道截止，怎么还会有电流当vgs一定，vds持续增大，近漏极端的沟道深度进一步减小，
2012-07-09 17:45
对于短路保护的设计非常重要。短路维持时间的测量如图2所示，峰值漏极电流和持续时间由栅极脉冲电压的幅值和宽度来控制。在测量的过程中要控制所加的电源电压，保证在短路关断过程
2016-08-24 16:02
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。关于雪崩击穿问题将在雪崩能量的相关章节专门的讨论。 图1：BVDSS测试电路功率MOS
2016-09-06 15:41
MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小,效率高。输出既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。 三极管的开漏
2011-11-18 22:05
MOSFET工作也可以工作在饱和区，即放大区恒流状态，此时，电流受到沟道内电子数量的限制，改变漏极电压不能增加流通电流。功率MO
2016-08-15 14:31
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小
2016-10-10 10:58
。可用比低于输入电压低的电压驱动，因此电路结构较为简单。Nch MOSFET：通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSF
2021-07-14 15:17
电压在12V左右，以保护Q1；3.C2作用为滤除MOS_ON上的干扰以及延缓Q1上下电时间，如下图：分别为添加电容和不添加电容Q1门极电压变化情况结论：通过在开关g s 并联电容，可以有效提升开关
2021-12-30 07:40
N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源
2011-08-17 14:18
