mosfet的TO220封装上的背后的铁片接的是漏极吗？为什么？
2015-10-25 20:56
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。功率MOSFET的耐压由结构中低掺杂层的外延层epi厚度N-决定。功率
2023-02-20 17:21
1、电压负载 在具有直流稳压大功率电路的应用中，通常首先考虑选择漏源电压VDS。这里的理由是，在实际工作环境中，MOSFET的最大峰值
2021-11-12 08:12
地在MOS管的漏-源稳态截止电压上，出现电压尖峰。我的问题如下【1】MOS管的漏极就是相当于三
2017-07-22 11:57
康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET
2019-04-08 03:57
如图2b、c和d所示。在实际应用中，一般不特指时的MOSFET都是增强型MOSFET，即在栅极不控制时，漏极-源极之间可
2024-06-13 10:07
MOSFET的栅极电荷特性与开关过程MOSFET的漏极导通特性与开关过程
2021-04-14 06:52
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。关于雪崩击穿问题将在雪崩能量的相关章节专门的讨论。 图1：BVDSS测试电路功率MOS
2016-09-06 15:41
MOSFET输入电容，Rg为MOSFET的栅极电阻。 VGS电压从0增加到开启阈值电压VTH前，漏
2025-02-26 14:41
为正时，它充当增强型MOSFET。N沟道场效应管与P沟道场效应管介绍N沟道MOSFET的源极接地，漏极连接到负载，当栅极
2023-02-02 16:26
