1、电压负载 在具有直流稳压大功率电路的应用中，通常首先考虑选择漏源电压VDS。这里的理由是，在实际工作环境中，MOSFET的
2021-11-12 08:12
对于短路保护的设计非常重要。短路维持时间的测量如图2所示，峰值漏极电流和持续时间由栅极脉冲电压的幅值和宽度来控制。在测量的过程中要控制所加的电源电压，保证在短路关断过程
2016-08-24 16:02
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。关于雪崩击穿问题将在雪崩能量的相关章节专门的讨论。 图1：BVDSS测试电路功
2016-09-06 15:41
。是从电压角度理解的，若从电流理解，是同相的。mos管，当Vds过大时，漏极区下面的通道截止，怎么还会有电流当vgs一定，vds持续增大，近漏极端的沟道深度进一步减小，
2012-07-09 17:45
的漏极电流远远大于系统的最大电流，因此在导通过程中，功率MOSFET要经过Miller平台区，此时Miller平台区的的电压
2016-08-15 14:31
的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线
2011-08-17 14:18
MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小,效率高。输出既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。 三极管的开漏
2011-11-18 22:05
MOSFET的耐压、电流特性和热阻特性，来理解功率MOSFET的安全工作区SOA曲线。它定义了最大的漏源极
2016-10-31 13:39
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 编辑 MOSFET最大漏极电流是MOSFET工作时允许
2012-07-05 11:01
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小
2016-10-10 10:58
