1、电压负载 在具有直流稳压大功率电路的应用中，通常首先考虑选择漏源电压VDS。这里的理由是，在实际工作环境中，MOSFET的
2021-11-12 08:12
mosfet的TO220封装上的背后的铁片接的是漏极吗？为什么？
2015-10-25 20:56
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。功率MOSFET的耐压由结构中
2023-02-20 17:21
`功率Mosfet参数介绍V(BR)DSS（有时候叫做BVDSS）是指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源
2012-01-12 16:12
米勒平台的时间t3为： t3也可以用下面公式计算： 注意到了米勒平台后，漏极电流达到系统最大电流ID，就保持在电路决定的恒定最大值ID，
2025-02-26 14:41
的漏极电流远远大于系统的最大电流，因此在导通过程中，功率MOSFET要经过Miller平台区，此时Miller平台区的的电压
2016-08-15 14:31
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。关于雪崩击穿问题将在雪崩能量的相关章节专门的讨论。 图1：BVDSS测试电路功
2016-09-06 15:41
以检查性能图，并尝试确定哪些零件更能承受低V GS。最大值最好通过选择具有适当阈值特性和低导通电阻的MOSFET来尝试优化性能，但是确保不要破坏或严重削弱该器件也很重要，这就是“极限”所在玩。最大
2019-10-25 09:40
的电压不上升？栅极电荷特性对于形象的理解MOSFET的开通过程并不直观，因此下面将基于漏极导通特性解MOSFET开通过程
2016-11-29 14:36
地在MOS管的漏-源稳态截止电压上，出现电压尖峰。我的问题如下【1】MOS管的漏极就是相当于三
2017-07-22 11:57
