的。例如，导通时间可解释为“VGS上升到10%后，到MOSFET导通10%的时间”。开关特性的温度特性这些开关时间随着温度
2018-11-28 14:29
关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关
2019-04-10 06:20
，温度降低，从而实现自动的均流达到平衡，这也是功率MOSFET相对于晶体管最具有优势的一个特性。同样对于一个功率MOSFET器件的内部也是有许多小晶胞并联而成，晶胞的导
2016-09-26 15:28
的电压和电流的值称为“阈值”。VGS(th)、ID-VGS与温度特性首先从表示ID-VGS特性的图表中，读取这个MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的条件是一致
2019-05-02 09:41
本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFET的破坏机制和对策及其应用和电机驱动应用。电气特性定义及使用说明 功率
2024-06-11 15:19
继上一篇MOSFET的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性–栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的
2018-11-28 14:28
二极管所谓二极管－分类与特性所谓二极管－整流二极管的特征比较所谓二极管－肖特基势垒二极管的特征所谓二极管－快速恢复二极管的特征Si晶体管所谓晶体管－分类与特征所谓MOSFET－寄生电容及其温度
2018-11-27 16:40
是否有白皮书明确规定了如何使用 MosFET 开启特性来抑制浪涌电流？ 设计类似于 TLE9853 评估板，H-bridge 具有更大的 Mosfet。 通过模拟感性负载，我们 CAN 控制电流
2024-01-29 07:41
，Hybrid MOS具备全能型特性。与SJ MOSFET 相比，Hybrid MOS在高温下的工作得到显著改善。另外，还能够在更大电流下工作。这与前面提到的导通电阻的温度特性
2018-11-28 14:25
，SiC-MOSFET在25℃时的变动很小，在25℃环境下特性相近的产品，差距变大，温度增高时SiC MOSFET的导通电阻变化较小。与IGBT的区别：关断损耗
2018-12-03 14:29
