第四部份似乎很相似，这样做可行么？问题分析：系统短路的时候，功率MOSFET相当于工作在放大的线性区，降低驱动电压，可以降低跨导限制的最大电流，从而降低系统的短路电流，从短路保护的角度而言，确实有一定
2016-12-21 11:39
，由于大多工作在线性区，计算过程不可能考虑到功率MOSFET的热电效应。在过去的时候，功率MOSFET采用平面的结构，每个单元的间隔大，很少会产生局部的热集中，基于TA
2016-10-31 13:39
值的VGS1，在转移工作特性或输出特性的电流为ID1，器件不可能流过大于ID1的电流，转移工作特性或输出特性限制着功率MOSFET的最大电流值。功率MOSFET工作在线性区
2016-08-15 14:31
型区。在功率MOSFET的内部，由许多这样的单元，也称“晶胞”，并联而成。硅片的面积越大，所能加工的单元越多，器件的导通电阻越小，能够通过的电流就越大；同样，在单位的面积的硅片上，能够加工的晶胞越多
2016-10-10 10:58
完全开通，只有导通电阻产生的导通损耗，没有开关损耗。t1-t2、t2-t3二个阶段，电流和电压产生重叠交越区，因此产生开关损耗。同时，t1-t2和t2-t3二个阶段工作于线性区，因此功率MOSFET
2017-02-24 15:05
浅拷贝和深拷贝的实现
2019-07-19 13:35
大于B管，因此选取的MOSFET开关损耗占较大比例时，需要优先考虑米勒电容Crss的值。整体开关损耗为开通及关断的开关损耗之和：从上面的分析可以得到以下结论：（1）减小驱动电阻可以减小线性区持续的时间
2017-03-06 15:19
MOSFET教程
2020-05-24 09:22
电机驱动设计中MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计相关文章资料，大家可以看看，对大家很有帮助！
2021-03-29 16:18
揭开深记忆示波器的神秘面纱
2019-09-23 07:56
