BTD25350双通道隔离，原方带死区时间设置，副方带米勒钳位功能，非常适合充电桩中后级LLC用SiC MOSFET方案 BTD25350系列双通道隔离型门极驱动器，峰值输出电流可达10A
2023-11-30 09:42 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
实验名称：高压放大器在介电泳效应的细胞分选研究中的应用 研究方向：生物医学 测试目的： 细胞分选在分析化学和生物医药领域有着非常重要的应用。在众多的分选方法中，微流控分选方法以其响应速度
2024-07-11 17:34 Aigtek安泰电子 企业号
可以使用直流和交流耦合来提供。不仅限于JESD204B应用，14个输出均可单独配置为传统高性能时钟系统输出。 超低噪声时钟抖动消除器SC6301具有高性能
2024-02-19 09:41 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
实验名称：基于磁流变阻尼调控的薄壁件加工抑振研究 研究方向：机械加工 测试目的： 为实时调控磁流变阻尼效应使其弥补薄壁件铣削过程的动力学特性损失，提出使用史密斯-自抗扰控制器调节磁流变阻尼
2024-07-10 18:16 Aigtek安泰电子 企业号
简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器， 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S逻辑
2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的击穿电压强度，更低的损耗和
2023-05-29 10:16 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
使用。其中PFC维也纳电路AC/DC的开关频率40kHz左右，一般使用650V的超结MOSFET或者650V的IGBT，劣势是器件多，硬件设计复杂，效率低，失效率
2023-08-02 10:29 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
