本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 编辑 MOSFET是指金属氧化物场效应管，具体的可分为P沟道和N沟道，一般用得多的是N沟道的。MOS管是电压控制型的元件，可以用一个
2012-07-04 17:18
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET
2019-07-09 17:30
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:04 编辑 MOSFET是指金属氧化物场效应管，具体的可分为P沟道和N沟道，一般用得多的是N沟道的。MOS管是电压控制型的元件，可以用一
2012-07-06 15:58
LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通（ZVS），MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。要保证LLC原边MOSFET的ZVS，需要满足以下三个基本条件：1
2018-07-18 10:09
（Mosfet和 IGBT）把直流电源变为交流型电源；通过变压器变出一定的电压，再整流后得到我们想要的目标电源。为了适应输入电压的波动范围，我们通过电压反馈和电流反馈来调节控制开关导通与关断信号的占空比
2012-07-04 17:05
@初中就开始混世的大魔王STM32L476入坑-1最近公司的项目需要低功耗，之前开发用MCU一直是stm32f103c8t6，但始终功耗还是不尽如人意，在选了很多芯片之后选择了stm32l476RG
2022-02-14 06:53
（Mosfet和 IGBT）把直流电源变为交流型电源；通过变压器变出一定的电压，再整流后得到我们想要的目标电源。为了适应输入电压的波动范围，我们通过电压反馈和电流反馈来调节控制开关导通与关断信号
2012-07-06 15:47
二极管。这使关断时间减小，同时减小关断时的损耗。Rg2是防止关断的时电流过大，把电源IC给烧掉。图 4 改进型加速MOS关断在第二点介绍的图腾柱电路也有加快关断作用。当电源IC的驱动能力足够时，对图 2
2017-01-09 18:00
STM32L476 关键的功耗优化特性 (20分钟)• 任务1: 使用STM32CubeMX 建立一个基于NUCLEO-L476RG 板子的功耗测试工程 (15分钟)• 任务2: 使用CubeMX来计算
2023-09-11 07:49
功率MOSFET的感性负载关断过程和开通过程一样，有4个阶段，但是时间常数不一样。驱动回路的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻，RG2为功
2017-03-06 15:19
