刚做了一个驱动芯片驱动的mosfet电路，但是mosfet输出波形占空比只能在20%以下和80%以上，这段区间之内却显示方波上面高电平一直存在。请问这是什么原因引起的呢？图1为
2017-10-31 17:15
需要采购MOSFET 测试设备， 满足手工测试MOSFET的电参数（IDSS/IGSS/VTH/RDSON/VDSS/VGSS等等），ID电流最大100A，VDS电压高
2021-05-06 09:57
。 图中的波形从上往下依次为栅极电压Vgs、漏源电压Vds和漏源电流Ids。在测试过程中，SiC MOSFET 具有极快的开关速度，可在十几纳秒内完成开关转换。然而，由于高速开关过程中产生的电磁干扰（EMI
2025-04-08 16:00
通常工程师在选用MOSFET时,会对其做哪些测试来判断它的性能,具体如何测试的,如温升,老化;求详细的解释~
2013-12-17 23:20
我买了一个High Voltage MOSFET Switch 想用来产生高压方波脉冲。我先用低电压（20 V）进行测试脉冲形状是否是方形。我上传了我手画的电路示意图，以及卖家网站提供的电路参考图
2019-04-06 03:35
。・MOSFET的漏极电压和电流及输出整流二极管的耐压・变压器的饱和・Vcc电压・输出瞬态响应和输出电压上升波形・温度测量和损耗测量・电解电容器 首先，说明通常规格的评估，并说明检查要点的区别。下表作为
2018-11-27 16:50
。补充一下，所有波形的测试是去掉了鳄鱼夹，使用接地弹簧就近测量的，探头的***扰情况是很小的。最后，经过了半个小时的带载实验，在自然散热的情况下，测量了SIC-MOSFET的温度：图9 温度测量对于
2020-06-10 11:04
请问buck-boost电路，输入10~15v，输出5v，开关管MOSFET使用IRF540N，驱动电路使用IR2117对吗？如果对的话，那为什么输出波形与理想的差距很大，而且输出的平均值与理论的也相差很大。
2015-06-04 16:02
MOSFET可实现相对较快的开关动作，从而降低开关损耗。 IV.实验验证 A.实验测试波形 将升压PFC转换器用作测量平台，进行评估。传统的TO247封装MOSFET和
2018-10-08 15:19
上升时间，关断延时和关断下降时间的测试条件，以AON6512为例，为：VGS=10V，VDS=15V，RL=0.75Ohm，RG=3Ohm。开通延时、开通上升时间，关断延时和关断下降时间的测试电路和波形
2016-12-16 16:53
