在现代电子技术中，MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种关键且广泛使用的电子器件。耗尽
2024-05-12 17:19
ARK（方舟微）研发的UltraVt ®超高阈值耗尽型MOSFET包括耐压70V的DMZ0622E系列、耐压100V的DMZ(X)1015E系列、耐压130V的DMZ(X)1315E系列、耐压130V的DMZ(X)1315EL系列等产品。
2023-11-18 16:00
MOSFET多数是载流子器件， N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子的流动性是空穴的三倍。尽管没有直接的相关性，就R
2018-03-09 14:28
在上述电路中，无需使用其它DC-DC元件，仅使用一颗耗尽型MOSFET，即可将较高的电压转换为稳定的低电压给LDO输入端供电。LDO的输入电压Vin与输出电压VOUT的关系满足：Vin=VOUT+|Vth| (Vth即DMD4523E在一定电流下的阈值电压)
2023-11-08 11:28
晶体管，它属于电压控制型半导体器件。根据导电沟道类型和栅极驱动电压的不同，可以分为N沟道-增强型MOSFET、N沟道-耗尽
2023-11-07 14:51
ARK（方舟微）研发销售的MOS产品主要以N沟道-耗尽型MOSFET为主（包括具有自主知识产权的高阈值电压（UltraVt®）耗尽型
2023-11-07 14:47
FDV303N是一款N沟道 MOSFET。这种器件通常用于开关和放大电路中，可以控制电流流动并放大信号。
2023-11-03 14:56
导电的通路，称为沟道，根据沟道的载流子类型，可分为N沟道和P沟道，像这种需要外加栅压才能使沟道产生的
2023-11-30 15:54
当电路工作时，电阻R两端的电压会随着流过的电流的增加而升高，但是由于耗尽型MOSFET的亚阈值特性，其最大电压值不会超过对应电流下的阈值电压，即V R_MAX =|V TH |。因此在该条件下，上述应用可以作为恒流源给IC供电。
2023-11-07 14:39
MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同，MOSFET可分为电子占多数的N
2023-04-13 09:40
