《处理稳压器中高开关频率的 PCB 布局》系列专辑由三篇文章构成，主要围绕高开关频率处理稳压器，介绍了高频 DC/DC
2023-08-15 15:25
损耗是MOSFET的Qg乘以驱动器电压和开关频率的值。Qg请参考所使用的MOSFET的技术规格书。驱动器电压或者实测，或者参考IC的技术规格书。
2020-04-05 11:52
电力晶体管是一种双极型大功率高反压晶体管，由于其功率非常大，所以，它又被称作为巨型晶体管，简称GTR。GTR是由三层半导体材料两个PN结组成的，三层半导体材料的结构形式可以是PNP，也可以是NPN
2018-03-01 16:06
MOSFET是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件，这里说的优缺点当然是要跟功率三极管（GTR）来做比较的：优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等；缺点—难以制成
2019-10-31 17:03
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）主要用于开关应用中，具有高电压和高电流的特点。它们具有更高的效率和更优良的高速开关
2021-05-02 12:13
由于GTR存在二次击穿等问题，由于二次击穿很快，远远小于快速熔断器的熔断时间，因此诸如快速熔断器之类的过电流保护方法对GTR类设备来说是无用的。
2019-09-02 09:28
变频器频率上不去的原因可能有多种，以下是一些常见的原因。
2023-10-26 09:24
正常IGBT的工作频率在10—20kHz，其开关速度比GTO、IGCT快得多。在交流电动机变频调速中，它是较好的选择。它在中小容量装置中淘汰功率双极晶体管（GTR）已成
2013-01-11 14:59
碳化硅MOSFET器件是一种半导体器件，它可以用于控制电流和电压，以及检测电阻、电容、电压和电流等参数，以确定电子设备是否正常工作。碳化硅MOSFET器件可以用于各种电子设备，如电源、电路板、电脑、汽车电子系统等。
2023-02-15 16:05
DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。
2020-04-06 11:50
