/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的
2012-07-06 15:56
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的
2012-07-04 17:14
图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成
2022-11-16 08:00
器件，又称巨型晶体管或电力勗体管，简称GTR。它从本质上讲仍是晶体管，因而工作原理与一般晶体管相同。但是，由于它主要用在电力电子技术领域，电流容量大，耐压水平高，而且大多工作在开关状态，因此其结构
2018-01-25 11:27
1、驱动电路最优化的基极驱动电流波形如图1所示。采用这种驱动波形，可加速GTR的开通过程，缩短关断时间，减小开关损耗。图1、反偏安全工作区图2、最优驱动电流波形图2为抗饱和电路。用它可使GTR处于准
2018-01-25 11:34
AL9910通用高压高亮度LED驱动器的典型应用。 AL9910 / A高压PWM LED驱动器控制器为整流线电压范围为85VAC至277VAC的离线高亮度LED灯提供了有效的解决方案。 AL9910以高达300kHz的开关频率驱动外部
2019-10-15 06:06
提供一些关键考虑因素。2MHz开关频率条件下工作时的第一个也是最重要的考虑因素是转换器的最小接通时间。在降压转换器中，当高侧MOSFET导通时，它在关闭前必须保持最小的
2022-11-15 07:30
CW3524控制GTR构成的开关电源电路图
2019-05-17 11:02
公式计算：同样，关断损耗的米勒平台时间在关断损耗中占主导地位。对于两个不同的MOSFET，如A管和B管，即使A管的Qg和Ciss小于B管的，但如果A管的Crss比B管的大得多时，A管的开关损耗就有可能
2017-03-06 15:19
系列文章目录 1.元件基础 2.电路设计 3.PCB设计 4.元件焊接 5.板子调试6.程序设计7.算法学习8.编写exe9.检测标准10.项目举例文章目录前言一、开关电源调节频率被限制的原因有
2021-10-28 08:15
